一、晶圓測試（CP測試）

1.‌測試目的‌：在晶圓切割篩選出功能缺陷或性能不達(dá)標(biāo)的晶粒（Die），避免后續(xù)封裝環(huán)節(jié)的資源浪費(fèi)，顯著降低制造成本。

2.‌核心設(shè)備與操作‌

l ‌探針臺（Prober）‌：通過高精度移動(dòng)平臺將探針與晶粒的Pad jing準(zhǔn)接觸，實(shí)現(xiàn)電氣連接。

l ‌ATE測試機(jī)‌：提供測試電源、信號輸入及功能向量，接收晶粒反饋信號以判定其良率（例如檢測漏電流、閾值電壓等參數(shù)）。

l ‌探針卡（Probe Card）‌：根據(jù)芯片Pad布局定制，確保ATE信號與晶粒引腳導(dǎo)通。

3.‌輸出結(jié)果‌

生成晶圓缺陷圖（Wafer Map），標(biāo)記不良晶粒（如打墨點(diǎn)），供后續(xù)封裝環(huán)節(jié)剔除。

二、封裝流程關(guān)鍵步驟

1.‌段處理‌

l ‌晶圓減薄‌：通過背面研磨將晶圓厚度調(diào)整至封裝要求（如100μm以下），并粘貼保護(hù)膠帶防止電路損傷。

l ‌晶圓切割‌：用金剛石刀片或激光切割將晶圓分割為獨(dú)立晶粒，清洗后去除殘留碎屑。

2.‌核心封裝工藝‌

l ‌芯片貼裝（Die Attach）‌：將晶粒固定在基板或框架上，通過銀漿或焊料實(shí)現(xiàn)機(jī)械固定與導(dǎo)熱。

l ‌引線鍵合（Wire Bonding）‌：用金線/銅線連接晶粒Pad與封裝基板引腳，確保信號導(dǎo)通。

l ‌塑封成型（Molding）‌：使用環(huán)氧樹脂（EMC）包裹芯片，保護(hù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)免受物理和化學(xué)損害。

3.‌后段處理‌

l ‌激光打標(biāo)‌：在封裝表面刻印型號、批次等信息。

l ‌電鍍與切割‌：對引腳進(jìn)行電鍍處理（如鍍錫/鎳），增強(qiáng)可焊性，并切除多余塑封材料。

三、封裝后測試（FT測試）

1.‌功能驗(yàn)證‌

l 檢測封裝后芯片的電氣性能（如工作頻率、功耗、I/O信號完整性），確保符合設(shè)計(jì)規(guī)格。

l 通過邊界掃描（Boundary Scan）等技術(shù)驗(yàn)證內(nèi)部邏輯功能。

2.‌可靠性測試‌

l ‌環(huán)境應(yīng)力測試‌：包括高溫/低溫循環(huán)（-55℃至+150℃）、高濕高壓（如85℃/85%RH）等，驗(yàn)證芯片壽命與穩(wěn)定性。

l ‌機(jī)械強(qiáng)度測試‌：如振動(dòng)、沖擊測試，評估封裝結(jié)構(gòu)可靠性。

3.‌量產(chǎn)終測‌

自動(dòng)化測試設(shè)備（ATE）批量執(zhí)行測試程序，生成測試報(bào)告（含良率、失效模式等數(shù)據(jù)）。

四、技術(shù)演進(jìn)與效率優(yōu)化

l ‌自動(dòng)化升‌：通過視覺定位系統(tǒng)與機(jī)械臂實(shí)現(xiàn)探針快速校準(zhǔn)，提升CP測試效率（如每小時(shí)測試晶圓數(shù)量提升30%）。

l ‌多芯片并行測試‌：支持存儲器等芯片的多點(diǎn)同步測試，降低單顆測試成本。

集成電路封裝測試通過‌晶圓篩選-封裝保護(hù)-功能驗(yàn)證‌的閉環(huán)流程，確保芯片性能達(dá)標(biāo)與chang期可靠性。晶圓測試（CP）與封裝后測試（FT）的分段實(shí)施，顯著降低制造成本（不良品處理成本相差10倍以上）。隨著探針臺精度提升（達(dá)±0.1μm）與測試設(shè)備智能化，該流程正加速向高集成度、高可靠性方向演進(jìn)。

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